ترانزیستورها، قطعات بنیادین الکترونیکی همواره نشتی و اتلاف انرژی داشته اند و در نتیجه انرژی مصرف میکنند. تحقیقات انجام شده توسط دانشگاه های ETH Zurich و EPF Lausanne منجر به تولید ترانزیستورهایی با سرعت سوئیچینگ بالا و همچنین توان خروجی بیشتر شده است. این قطعات از ترانزیستورهایی که تاکنون ساخته می شدند بهینه تر هستند، یعنی انرژی مصرفی کمتر و انتشار CO2 کمتری خواهند داشت.
تخصص پروفسور بلوگِنسی از دانشگاه ETH Zurich و تیم تحقیقاتیش در طراحی و توسعه ترانزیستورهای پرسرعت برای بهره گیری در سیستمهای تبادل اطلاعات با سرعت بالا و انتقال بهینه میباشد. برای رسیدن به این هدف، الکترونها باید با بیشترین سرعت در قطعه نیمه هادی حرکت نمایند. سال گذشته گروه پروفسور بلوگِنسی رکورد خود را با ترانزیستوری با نام HEMT (ترانزیستور با موبیلیتی بالا) بر پایه نیترید آلومینیوم و گالیم ((AlGaN که بر روی زیرلایه سیلیکونی نفوذ داده شده اند ارتقا داد. قبل از این فناوری های مشابه فرکانس قطع 28 گیگاهرتز را نشان میدادند اما ترانزیستورهای ساخته شده توسط این تیم فرکانس قطعی تا 108 گیگاهرتز را به خود اختصاص داده است.
